[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法无效
| 申请号： | 200510108591.5 | 申请日： | 2005-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1763913A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 松原俊夫;佐藤宏行;内岛秀人 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/205;C23C16/44;C23F4/00;C30B25/14;C30B33/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种衬底处理装置和衬底处理方法。衬底处理装置包括：能够减压的反应室、具有形成有通孔(10)、(11’)、(11)的气体扩散板(9)且将处理气体供到反应室内部的喷头以及用以设置衬底的衬底支承部。设在气体扩散板(9)的周边区域的通孔(11’)、(11)，其入口部分的面积大于出口部分的面积。因为若使用该装置，便能将处理气体均匀地供到气体扩散板内，所以能够均匀地进行膜沉积、膜蚀刻等衬底处理。因此，提供的是一种能够在晶片面内均匀地进行衬底处理的衬底处理装置及衬底处理方法。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理装置，包括：利用处理气体来处理衬底的反应室，具有形成有用以让所述处理气体通过的多个通孔的板状气体扩散板、将所述处理气体供到所述反应室内部的喷头，以及设在所述反应室内、以面对所述气体扩散板的状态设置所述衬底的衬底支承部，其特征在于：所述多个通孔中设在所述气体扩散板的周边区域的通孔，入口部分的面积大于出口部分的面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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