[发明专利]基于掩模层的光学性能在衬底上对准图形的方法及相关器件

摘要

一种制造半导体器件的方法，包括，在衬底上形成材料层，在材料层上形成掩模层，以及将氮离子注入掩模层中，以减小其光吸收。在材料层和衬底之间可以形成对准键，以及可以通过注入的掩模层光学地确定对准键的位置。注入的掩模层可以被构图，以限定掩模图形，以及可以使用掩模图形作为刻蚀掩模，构图材料层。还论述了相关器件。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成材料层；在材料层上形成掩模层；将离子注入掩模层中，以减小其光吸收；构图注入的掩模层，以限定掩模图形；以及使用掩模图形作为刻蚀掩模，构图材料层。