[发明专利]操作电荷捕捉非易失性存储器的方法及装置有效
申请号: | 200510108648.1 | 申请日: | 2005-10-10 |
公开(公告)号: | CN1949520A | 公开(公告)日: | 2007-04-18 |
发明(设计)人: | 叶致锴;蔡文哲;卢道政 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247;G11C16/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 通过在存储器单元的衬底区域与存储器单元的源极区域及存储器单元的漏极区域中至少一个之间测量电流,来操作一种具有电荷捕捉结构的存储器单元。当存储器单元结构的其它部分储存不相关的信息时,读取作业将不同部分的电荷捕捉结构之间的耦合减少。通过该读取作业,存储器单元的感测范围可以显著地改善。通过增加存储器单元上的净正电荷以擦除存储器单元,而通过增加存储器单元上的净负电荷以编程存储器单元。 | ||
搜索关键词: | 操作 电荷 捕捉 非易失性存储器 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、一种操作一个存储器单元的方法,该存储器单元包括在衬底区域中的栅极、源极及漏极区域,且包含电荷捕捉结构及一个或多个介电结构,至少部分该介电结构位于该电荷捕捉结构及该栅极之间,且至少部分该介电结构位于该衬底区域及该电荷捕捉结构之间,该方法包括:施加读取偏压设置,以决定该电荷捕捉结构的一个电荷储存状态;测量流经该衬底区域与该源极区域及该漏极区域中至少一个之间的电流,以决定该电荷捕捉结构的该电荷储存状态;施加擦除偏压设置,以通过在该电荷捕捉结构中增加一个净正电荷,调整该电荷储存状态;以及施加编程偏压设置,以通过在该电荷捕捉结构中增加一个净负电荷,调整该电荷储存状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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