[发明专利]开口的形成方法以及接触窗的形成方法有效
| 申请号： | 200510108837.9 | 申请日： | 2005-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1941294A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 叶建辉;施继雄;蓝天呈;周梅生 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/32;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种开口的形成方法，此形成方法为，在材料层上形成介电层，接着在介电层上依序形成金属硬掩模层与顶盖层。然后，在顶盖层上形成图案化的光致抗蚀剂层，且图案化的光致抗蚀剂层暴露出部分顶盖层表面。随后，进行一第一蚀刻步骤，以图案化的光致抗蚀剂层为掩模，移除部分顶盖层与金属硬掩模层，直至暴露出介电层表面。继之，移除图案化的光致抗蚀剂层，然后进行一第二蚀刻步骤，以顶盖层与金属硬掩模层为掩模，移除部分介电层，以形成一开口。 | ||
| 搜索关键词： | 开口 形成 方法 以及 接触 | ||
【主权项】：
1、一种开口的形成方法，包括：于一材料层上形成一介电层；在该介电层上依序形成一金属硬掩模层与一顶盖层；在该顶盖层上形成一图案化的光致抗蚀剂层，且该图案化的光致抗蚀利层暴露出部分该顶盖层表面；进行一第一蚀刻步骤，以该图案化的光致抗蚀剂层为掩模，移除部分该顶盖层与该金属硬掩模层，直至暴露出该介电层表面；移除该图案化的光致抗蚀剂层；以及进行一第二蚀刻步骤，以该顶盖层与该金属硬掩模层为掩模，移除部分该介电层，以形成一开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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