[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。传感器元件中存在的课题是，为了进一步推进今后的大功率输出及小型化，要在有限的面积上形成多个元件，要缩小元件所占的面积进行集成。还存在的课题是，提供能够提高传感器元件的合格率的工艺。本发明是在具有绝缘表面的基板上将采用非晶态硅膜的传感器元件、以及由薄膜晶体管构成的输出放大电路进行集成。另外，在传感器元件的光电变换层形成图形时，在光电变换层与薄膜晶体管连接的布线之间设置包含露出的保护布线用的金属层。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，是安装在同一绝缘表面上具有光传感器元件及放大电路的基板的小片的半导体装置，所述放大电路由具有晶体结构的半导体膜的n沟道型TFT构成，所述光传感器元件具有覆盖所述n沟道型TFT的布线上面及侧面的第一电极；在所述布线及所述第一电极上方、与所述第一电极一部分接触的p型非晶态半导体层；与该p型非晶态半导体层上接触的、具有非晶态结构的i型半导体层；与该i型半导体层上接触的n型非晶态半导体层；以及与该n型非晶态半导体层上接触的第二电极。