[发明专利]具有多个晶体管的半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510109058.0 | 申请日： | 2005-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN1953160A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 裴静伟;贡振邦 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有多个晶体管的半导体装置及其制造方法，包括有下列步骤：提供一基板；形成一第一导电层于该基板上，其中该第一导电层包括有：一第一电极区；以及至少一第二电极区；其中该第一电极区电性连接该第二电极区中之一；形成一第一半导体层以覆盖该第二电极区；形成一介电层以覆盖该第一电极区和该第一半导体层；形成一第二半导体层于对应该第一电极区的该介电层上；以及形成一第二导电层，其中该第二导电层包括有：一第三电极区，对应该第二电极区而位于该介电层上；以及至少一第四电极区，对应该第一电极区而位于该第二半导体层上。本发明可大幅度降低引线孔的需求量，进而减少电子元件制造过程中的激光钻孔量，从而降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶体管 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括有下列步骤：提供一基板；形成一第一导电层于该基板上，其中该第一导电层包括有：一第一电极区；以及至少一第二电极区；其中该第一电极区电性连接该第二电极区中之一；形成一第一半导体层以覆盖该第二电极区；形成一介电层以覆盖该第一电极区和该第一半导体层；形成一第二半导体层于对应该第一电极区的该介电层上；以及形成一第二导电层，其中该第二导电层包括有：一第三电极区，对应该第二电极区而位于该介电层上；以及至少一第四电极区，对应该第一电极区而位于该第二半导体层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
