[发明专利]具有高自旋极化率的半金属磁性材料无效
| 申请号： | 200510109166.8 | 申请日： | 2005-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1750181A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 刘国栋;代学芳;柳祝红;朱志永;陈京兰;吴光恒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01F1/047 | 分类号： | H01F1/047;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一系列具有高自旋极化率的金属磁性材料，该系列材料具有化学式：MnxCoyNzMw，其中，N是III－V族元素，如：Al，Ga，In，Si，Ge，Sn，Sb等的一种或多种，M为过渡族元素，如：V，Cr，Fe，Ni等的一种或多种；2.2≥x≥1.8，1.2≥y＞0，1.2≥z＞0，0.99≥w≥0，x+y+z+w＝4。所述的MnxCoyNzMw系列材料：自旋极化率最高的为100％，是典型的半金属磁性材料，最低的自旋极化率是80％。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 自旋 极化 金属 磁性材料 | ||
【主权项】：
1、一种具有高自旋极化率的金属磁性材料，其特征在于：具有如下组成：MnxCoyNzMw，其中，N是III-V族元素，如：Al，Ga，In，Si，Ge，Sn，Sb等的一种或多种，M是过渡族元素，如：V，Cr，Fe，Ni等的一种或多种；2.2≥x≥1.8，1.2≥y＞0，1.2≥z＞0，0.99≥w≥0，x+y+z+w＝4。
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