[发明专利]影像感测像素单元、影像感测装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510109274.5 | 申请日： | 2005-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1812111A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 杨敦年;黄国钦;钱河清;伍寿国 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L29/78;H01L21/82;H01L21/336;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种影像感测像素单元、影像感测装置及其制造方法，该影像感测装置包括：一光学感测元件；一晶体管，电性耦接于该光学感测元件，该晶体管具有位于一栅介电层上的一栅电极以及位于该栅电极两侧的多个间隔物，该些间隔物包括位于一缓冲氧化物上的一氮化物；以及一电容，电性耦接于该晶体管与该光学感测元件。本发明所述影像感测像素单元、影像感测装置及其制造方法可有效较低噪声比与较少不明信号。 | ||
| 搜索关键词： | 影像 像素 单元 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种影像感测装置，其特征在于，所述影像感测装置包括：一光学感测元件；一晶体管，电性耦接于该光学感测元件，该晶体管具有位于一栅介电层上的一栅电极以及位于该栅电极两侧的多个间隔物，该些间隔物包括位于一缓冲氧化物上的一氮化物；以及一电容，电性耦接于该晶体管与该光学感测元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
