[发明专利]允许金属接触图形未对准的半导体集成电路及其制造方法

摘要

本发明公开了一种制造场效应晶体管的方法。在该方法中，在半导体衬底的上表面上形成栅极叠层，然后在栅极叠层的侧壁上形成第一衬垫。下一步，在半导体衬底中或上沉积与第一衬垫自对准的硅化物。其后，形成覆盖第一衬垫的表面的第二衬垫，并在至少栅极叠层，第二衬垫，和硅化物上形成接触衬里。随后，在接触衬里上沉积层间介质。下一步，形成金属接触开口以暴露硅化物上的接触衬里。最后，延伸开口穿过接触衬里以暴露硅化物而不暴露衬底。

主权项

1.一种制造场效应晶体管的方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的上表面上具有栅极叠层，以及在所述栅极叠层的侧壁上形成第一衬垫；在所述半导体衬底中或上形成与所述第一衬垫邻近的硅化物；形成覆盖所述第一衬垫的表面的第二衬垫；在至少所述栅极叠层，所述第二衬垫和所述硅化物上形成接触衬里；在所述接触衬里上形成层间介质；形成开口以暴露所述硅化物上的所述接触衬里；以及延伸所述开口穿过所述接触衬里以暴露所述硅化物而不暴露所述衬底。