[发明专利]图像传感器及形成其的方法无效
| 申请号： | 200510109624.8 | 申请日： | 2005-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN1767201A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 李德珉;元成根;柳准烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种可靠的图像传感器及形成其的方法。所述图像传感器包括光电探测器件。至少一个晶体管电连接到该光电器件用于输出存储在该光电探测器件中的电荷。直接连接到该光电探测器件的晶体管包括栅极电极图案和设置在该栅极电极图案上的离子注入阻隔图案。由于该离子注入阻隔图案位于光电探测器件附近的晶体管的栅极电极图案的上部，在该光电探测器件附近的晶体管的栅极电极图案的域值电压可调整到期望值。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种图像传感器，包括：光电探测器件；和至少一个晶体管，可操作地连接到所述光电探测器件用于输出存储在该光电探测器件中的电荷，其中连接到所述光电探测器件的晶体管包括栅极电极图案和设置在该栅极电极图案上的离子注入阻隔图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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