[发明专利]半导体元件的熔丝结构及其控制方法无效
| 申请号： | 200510109652.X | 申请日： | 2005-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1937220A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 陈贝翔 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L23/525;H01L27/00;H01L21/768;H01L21/82;G11C17/14;G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体元件的熔丝结构，包括多个熔丝、n条第一控制线、m条第二控制线、n个第一开关及m个第二开关。其中，这些熔丝分别各具有第一端点与第二端点，且熔丝是以(n×m)的阵列方式排列，各第一控制线分别与同一列的这些熔丝的第一端点耦接，第二控制线分别与同一行的这些熔丝的第二端点耦接，各第一开关分别耦接于各第一控制线，各第二开关分别耦接于各第二控制线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 结构 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件的熔丝结构，包括：多个熔丝，该些熔丝分别各具有一第一端点与一第二端点，且该些熔丝是以n×m的阵列方式排列；n条第一控制线，各该第一控制线分别与相同列的该些熔丝的该第一端点耦接；m条第二控制线，各该第二控制线分别与相同行的该些熔丝的该第二端点耦接；n个第一开关，各该第一开关分别耦接于各该第一控制线；以及m个第二开关，各该第二开关分别耦接于各该第二控制线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510109652.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：音讯输出的仲裁方法
- 下一篇：马达及采用该马达的风扇
