[发明专利]纳米级晶粒的制造方法及其应用有效
| 申请号： | 200510109659.1 | 申请日： | 2005-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1767151A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 赵志伟;张茂益;曹义昌 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336;H01L29/04;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制作纳米级晶粒的方法，其可应用于内存器件和太阳能电池的制程中。该制作纳米级晶粒的方法至少包括以下步骤：首先，提供基板，并在基板上形成薄膜，薄膜的厚度等于或小于约50。接着，对薄膜施以激光退火处理，且该激光的波长等于或小于约500nm，以在基板上形成多个纳米晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶粒 制造 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种制作纳米级晶粒的方法，包括以下步骤：提供基板；在所述基板上形成薄膜，该薄膜的厚度等于或小于约50；及对所述薄膜施以激光退火处理，且该激光的波长等于或小于约500nm，以在所述基板上形成多个纳米晶粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
