[发明专利]鳍型场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200510109663.8 | 申请日： | 2005-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1770471A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 布伦特·A·安德森;安德烈斯·布赖恩特;爱德华·J·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍型场效应晶体管(FinFET)及其制造方法，该FinFET具有鳍，其具有：中心沟道部分；端部分，包括源极和漏极区；和沟道延伸部，从鳍的沟道部分的侧壁延伸。该结构还包括：栅极绝缘体，覆盖该沟道部分和该沟道延伸部和栅极导体，在该栅极绝缘体上。该沟道延伸部增加该鳍的沟道部分的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种鳍型场效应晶体管，包括：鳍，具有中心沟道部分及包括源极和漏极区的端部分；至少一个沟道延伸部，从所述鳍的所述沟道部分的至少一侧延伸；栅极绝缘体，位于所述沟道部分和所述沟道延伸部上；及栅极导体，位于所述栅极绝缘体上。
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