[发明专利]氮基半导体装置无效
| 申请号： | 200510109682.0 | 申请日： | 2005-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1750271A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 斋藤涉;大村一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王琼 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氮基半导体装置包括，基本上由氮基半导体构成的第一半导体层，置于第一半导体层上的并且基本上由不掺杂的或者第一传导型氮基半导体构成的第二半导体层。第一以及第二半导体层形成异质界面。栅极置于第二半导体层上。第一和第二沟槽在将栅极夹在之间的位置处在第二半导体层上的表面上形成。第一传导型的第三和第四半导体层分别在第一和第二沟槽表面中形成，并且每个都基本上由具有比第一和第二半导体层的电阻率低的电阻率的扩散层构成。源极和漏极分别电连接到第三和第四半导体层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种氮基半导体装置，包括：基本上由氮基半导体构成的第一半导体层；置于第一半导体层上的第二半导体层，它基本上由不掺杂的或者第一传导型氮基半导体构成，第一和第二半导体层形成异质界面；置于第二半导体层上的栅极；在将栅极夹在之间的位置处，在第二半导体层上的表面上形成的第一和第二沟槽；分别在第一和第二沟槽表面中形成的第一传导型的第三和第四半导体层，并且每个都基本上由具有比第一和第二半导体层的电阻率低的电阻率的扩散层构成；电连接到第三半导体层的源极；以及电连接到第四半导体层上的漏极。
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