[发明专利]用于半导体装置的控制器无效
申请号: | 200510109746.7 | 申请日: | 2005-09-21 |
公开(公告)号: | CN1756067A | 公开(公告)日: | 2006-04-05 |
发明(设计)人: | 中村晃司 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | H02P6/20 | 分类号: | H02P6/20;H02P1/18 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 半导体装置控制器包括电流源控制单元、电流电平判断单元以及时间常数改变单元,电流源控制单元用于响应控制信号来控制连接负载的半导体装置的传导状态以施加电流给负载,电流电平判断单元用于比较在小于过电流判断值的区域内所设定的一个或多个切换判断值与由电流检测单元所检测的电流以进行电流电平判断,时间常数改变单元用于根据电流电平判断单元的判断结果来改变输入信号处理电路的电路时间常数。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 装置 控制器 | ||
【主权项】:
1、一种半导体装置控制器(6,41,43,44,46),包括:输入信号处理电路(13,42,51),用于根据电路时间常数对来自外部的作为电流源指令的脉冲信号输入进行信号处理,以产生并输出控制信号;电流源控制单元(16,36),用于响应于该控制信号来控制串联连接到负载(2)的半导体装置(7)的导通状态以向该负载(2)提供电流;电流检测单元(7,9),用于检测在该负载内流动的电流;过电流判断单元(38),用于比较由所述电流检测单元(7,9)所检测的电流与过电流判断值以进行过电流判断;限流单元(19),当通过所述过电流判断单元(38)进行所述过电流判断时,用于通过所述电流源控制单元(36)限制通过所述半导体装置(7)要施加给所述负载(2)的电流;电流电平判断单元(37),用于比较在小于过电流判断值的一个区域内设定的一个或多个切换判断值与由所述电流检测单元(7,9)所检测的电流,以进行电流电平判断;以及时间常数改变单元(40,40a,51),用于根据所述电流电平判断单元所得到的判断结果来改变所述输入信号处理电路(13,42)的电路时间常数。
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