[发明专利]元件隔离结构的制造方法

摘要

一种元件隔离结构的制造方法。首先提供可区分为存储单元区与外围电路区的基底。然后，于存储单元区上形成第一堆栈层，并于基底上形成第二堆栈层。接着，图案化第二堆栈层，以第二堆栈层为掩模移除存储单元区的部分第一堆栈层与部分基底，以于存储单元区的基底中形成多个第一沟槽。同时移除周边电路区的部分基底，以于周边电路区的基底中形成多个第二沟槽。此第二沟槽的深度大于第一沟槽的深度。继之，于第一沟槽与第二沟槽中形成绝缘层。由于使用自行对准的隔离结构工艺，因此可降低工艺成本，并使元件之间有均匀的电性。

主权项

1、一种元件隔离结构的制造方法，包括：提供一基底，该基底可区分为一存储单元区与一外围电路区；于该存储单元区形成一复合层、一第一衬导体层与一介电层，并于该外围电路区上形成至少一栅介电层；于该基底上形成一第二衬导体层；于该基底上形成一掩模层；图案化该掩模层、该第二衬导体层、该介电层及该栅介电层，以于该存储单元区形成暴露该第一衬导体层的多个第一开口，并于该周边电路形成暴露该基底表面的多个第二开口；以该掩模层为掩模，移除该存储单元区的该第一衬导体层、该复合层与该基底，以于该存储单元区的该基底中形成多个第一沟槽，移除该周边电路的部分该基底，以于该周边电路区的该基底中形成多个第二沟槽，其中该些第二沟槽的深度大于该些第一沟槽的深度；于该些第一沟槽与该些第二沟槽中形成一绝缘层；移除该掩模层；以及移除该存储单元区的该第二衬导体层与该介电层。