[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200510109788.0 | 申请日： | 2005-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1937209A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 赖佳平;王进忠;魏鸿基 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L21/8247;H01L27/105;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非挥发性存储器的制造方法。首先提供基底，然后于基底中形成多个沟槽。此些沟槽往第一方向延伸。接着，于基底表面及沟槽表面形成一层第一介电层，并于第一介电层上形成一层电荷陷入层。继之，于沟槽内填入绝缘层。于基底上形成一层第二介电层。之后，于第二介电层上形成一层导体层，此导体层往第二方向延伸。其中第一方向与该第二方向交错。由于位于沟槽中的电荷陷入层可以舒解绝缘层施加于基底的应力，因此可以避免基底晶格缺陷的产生而造成漏电的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非挥发性存储器的制造方法，包括：提供一基底；于该基底中形成多个沟槽，该些沟槽往一第一方向延伸；于该基底表面及该些沟槽表面形成一第一介电层；于该第一介电层上形成一电荷陷入层；于该些沟槽内填入一绝缘层；于该基底上形成一第二介电层；以及于该第二介电层上形成一导体层，该导体层往一第二方向延伸，该第一方向与该第二方向交错。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
