[发明专利]电成型金属化无效
| 申请号： | 200510109804.6 | 申请日： | 2005-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1764349A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | D·R·埃文斯;J·W·哈特泽尔 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00;G02F1/1345 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种用于电成型金属集成电路结构的方法。该方法包括：穿过层间绝缘体形成诸如通孔或线的开口，露出基片表面；形成覆盖层间绝缘体和基片表面的基层；形成覆盖基层的触击层；形成覆盖触击层的顶层；选择性地蚀刻以去除覆盖基片表面的顶层，露出触击层表面；以及，电成型覆盖触击层表面的金属结构。电成型的金属结构使用电镀或者无电沉积方法沉积。典型地，该金属是Cu、Au、Ir、Ru、Rh、Pd、Os、Pt或者Ag。基层、触击层和顶层可使用物理气相淀积(PVD)、蒸发法、反应溅射或者金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 成型 金属化 | ||
【主权项】：
1、一种用于电成型金属集成电路结构的方法，该方法包括：穿过第一层间绝缘体形成开口，露出基片表面；形成覆盖第一层间绝缘体和基片表面的基层；形成覆盖基层的触击层；形成覆盖触击层的顶层；选择性地蚀刻以去除覆盖基片表面的顶层，露出触击层表面；以及电成型覆盖触击层表面的第一金属结构。
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