[发明专利]一种化学机械抛光中研磨垫沟槽加工方法有效
| 申请号： | 200510110006.5 | 申请日： | 2005-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1958236A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 李晗玲 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化学机械抛光中研磨垫沟槽加工方法，包括以下步骤，第一步，测量使用到寿命的研磨垫沟槽剩余深度分布；第二步，将硅片运动轨迹所覆盖的研磨垫区域分成等分的几个区域；第三步，分别计算每个区域沟槽深度的平均值；第四步，计算沟槽加工时深度所需要的补正值；第五步，以原深度加第四步中得到的补正值作为沟槽的深度加工沟槽。本发明适用于化学机械抛光中研磨垫沟槽加工。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械抛光 研磨 沟槽 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械抛光中研磨垫沟槽加工方法，其特征在于，包括以下步骤，第一步，测量使用到寿命的研磨垫沟槽剩余深度分布；第二步，将硅片运动轨迹所覆盖的研磨垫区域分成等分的几个区域，其中每个区域所包含的沟槽数量是研磨垫沟槽加工时切割刀片数量的倍数；第三步，分别计算每个区域沟槽深度的平均值；第四步，将第三步中得到的每个区域沟槽深度的平均值的最大值减去所有沟槽深度的平均值，计算沟槽加工时深度所需要的补正值；第五步，以原深度加第四步中得到的补正值作为沟槽的深度加工沟槽。
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