[发明专利]金属电容结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200510110232.3 | 申请日： | 2005-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1964051A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 潘志宣;陈菊英 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/102;H01L27/10;H01L27/00;H01L21/8242;H01L21/8222;H01L21/82;H01L21/02;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属电容结构及其制造方法，利用集成电路上原有的栅极结构作为金属电容下极板，嵌入一层高温氧化硅介质层作为金属电容介质，嵌入另一层金属作为金属电容上极板，经过一次光刻和选择性等离子刻蚀而实现，采用覆盖层氧化层作为上极板掩蔽层，并在侧向隔离化学气相沉积氧化膜成长前采用氮气高温处理。本发明公开的制造方法可防止钨硅黑化。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 电容 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属电容结构，包括上极板、电容介质和下极板，其特征是，利用金属氧化物半导体栅极结构金属钨硅作为所述金属电容的下极板，采用覆盖式氧化层作为所述上极板的掩蔽层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
