[发明专利]一种薄膜材料非平衡原位掺杂的制备方法无效
申请号: | 200510110256.9 | 申请日: | 2005-11-10 |
公开(公告)号: | CN1793418A | 公开(公告)日: | 2006-06-28 |
发明(设计)人: | 吴嘉达;孙剑;凌浩 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | C23C14/28 | 分类号: | C23C14/28 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 姚静芳 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明是一种实施非平衡原位掺杂从而制备掺杂薄膜的新方法。即以一脉冲激光束烧蚀作为薄膜基质的源材料靶、在以脉冲激光沉积方法进行基质膜层沉积的同时,用另一脉冲激光束烧蚀作为掺杂元素的源材料靶,将杂质元素均匀掺入在沉积生长过程中的基质膜层内。即为用双激光束双靶共烧蚀的方法进行薄膜沉积和原位掺杂。本发明用双激光束双靶共烧蚀的薄膜沉积和原位掺杂,可以实现均匀掺杂;两激光束的种类和参数可以分别调整,控制掺杂浓度容易;作为非热力学平衡的薄膜沉积和掺杂方法,可突破化学热力学对掺杂浓度的限制,实现重掺杂。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 材料 平衡 原位 掺杂 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种薄膜材料非平衡原位掺杂的制备方法,其特征是用两束脉冲激光分别烧蚀作为膜层基质和掺杂元素的源材料靶,在以脉冲激光沉积方法进行薄膜沉积的同时实施对膜层的原位掺杂,其中掺杂脉冲激光与薄膜沉积脉冲激光重复频率比为0.02-0.1。
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