[发明专利]发光二极管及其电极压焊点的形成方法无效
| 申请号： | 200510110301.0 | 申请日： | 2005-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1964083A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 江忠永 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 310018浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了发光二极管电极压焊点的形成方法，提供一个包含p电极区和n电极区的LED芯片，所述p电极区上包括第一金属层，所述方法进一步包括：步骤一，形成一光刻胶层在所述LED芯片的p和n电极区上；步骤二，在所述p和n电极区的光刻胶层上通过光刻形成压焊点的掩膜窗口；步骤三，在所述光刻胶掩膜上沉积第二、第三金属层；步骤四，移除光刻胶层以及其上的第二、第三金属层，保留沉积在掩模窗口中的第二、三金属层作为压焊点。本发明的发光二极管，包括：一LED芯片，所述芯片上包括p电极区和n电极区，所述p电极区上包括第一金属层构成p电极；第二、三金属层，设置在所述LED芯片上的局部p电极上和局部n电极区上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 电极 压焊点 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、发光二极管电极压焊点的形成方法，提供一个包含p电极区和n电极区的LED芯片，所述p电极区上包括第一金属层，所述方法进一步包括：步骤一，形成一光刻胶层在所述LED芯片的p和n电极区上；步骤二，在所述p和n电极区的光刻胶层上通过光刻形成压焊点的掩膜窗口；步骤三，在所述光刻胶掩膜上沉积第二、第三金属层；步骤四，移除光刻胶层以及其上的第二、第三金属层，保留沉积在掩模窗口中的第二、三金属层作为压焊点。
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