[发明专利]一种横向PNP晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200510110543.X | 申请日： | 2005-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1971858A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 陈康民 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 章蔚强 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向PNP晶体管及其制造方法，该PNP晶体管包括在外延衬底上，通过一层薄的氧化层，离子注入浓硼形成横向PNP的发射极和集电极，离子注入浓磷形成横向PNP的基极，然后再在上面覆盖一层二氧化硅，一层低压化学汽相沉积的氮化硅，一层低温沉积的二氧化硅。接着运用光刻和RIE等离子刻蚀的方法形成横向PNP晶体管的发射极、基极、集电极的接触孔，最后溅射铝硅铜膜完成器件结构。本发明在现在采用在横向PNP晶体管表面增加沉积一层低压化学气相沉积的氮化硅，提高横向PNP放大倍数达30－50％，而且改善了横向PNP晶体管集电极电流与电流放大倍数关系曲线的线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 pnp 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向PNP晶体管的制造方法，包括：在外延衬底上，在形成横向PNP晶体管的发射极和集电极、以及形成横向PNP晶体管的基极之后，其上覆盖一层二氧化硅；然后，覆盖一层氮化硅；接着，再覆一层低温沉积的二氧化硅；最后，形成横向PNP晶体管的发射极、基极、集电极的接触孔，溅射铝硅铜膜完成器件制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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