[发明专利]一种改进的高压器件仿真模型及其应用方法有效
| 申请号： | 200510110601.9 | 申请日： | 2005-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1971569A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 邹小卫;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进的高压器件仿真模型，在低压条件下的普通SPICE器件模型基础上，在晶体管的漏极上串联一个可随电压、温度变化的可变电阻，以实现高压区域栅极电压对晶体管电流能力控制减弱效应，增加一个电流控制电流源仿真高压器件的离效应；该电阻电阻值与加在该电阻上面的电压具有函数关系；在晶体管漏极与源极间跨接一个电流控制电流源，以仿真高压晶体管的离化效应。本发明还将BSIM3模型与上述改进的高压器件仿真模型组合成高压器件SPICE模型，然后调用为拟合实际测量值而调节的参数：电阻R0，其电压系数VC1、VC2、VC3、VC4，温度系数TC1、TC2等。本发明可提高高压模型使用的便利性，提高集成电路设计工作效率与准确性，缩短产品设计周期、降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 高压 器件 仿真 模型 及其 应用 方法 | ||
【主权项】：
1、一种改进的高压器件仿真模型，首先建立高压晶体管在低压条件下的普通SPICE器件模型，其特征在于，然后在所述晶体管的漏极上串联一个可随电压、温度变化的可变电阻，以实现高压区域栅极电压对晶体管电流能力控制减弱效应，增加一个电流控制电流源仿真高压器件的离效应；该电阻电阻值与加在该电阻上面的电压的关系为：R＝RO*(1+VC1*VR+VC2*VR*VR)*(1+VC3*Vbs+VC4*Vbs*Vbs)，其中RO是电压为零时的电阻值，VC1、VC2、VC3、VC4是其电压一级及二级系数，VR是电压绝对值，Vbs是衬底与源极间的电压绝对值；在所述晶体管漏极与源极间跨接一个电流控制电流源，以仿真高压晶体管的离化效应。
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