[发明专利]半导体工艺中温度测定的方法有效
| 申请号： | 200510110602.3 | 申请日： | 2005-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1971867A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 陈俭 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体工艺中温度测定的方法，首先在硅片上淀积一层钛层和一层铝合金层，然后用光刻的方法制作出金属线条和大块金属，并测定金属线条的电阻，再将使硅片完成正常的生产工艺，之后再次测定金属线条的电阻，通过比较两次电阻值的变化，得到生产工艺流程中的温度。本发明与现有的温度监控方法比较，可以实时精确地测定在250℃到550℃温度范围之间的实际工艺温度及其均匀性，而不是以静态温度设定推算，采用的材料在半导体工艺中也最为常见，因此成本低廉，简便易行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 温度 测定 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体工艺中温度测定的方法，其特征在于，依次包括如下步骤：(1)在半导体硅片表面淀积一层氧化层；(2)在硅片上以小于150℃的温度下淀积一层钛，然后在钛层之上以小于150℃的温度淀积一层铝合金；(3)用光刻工艺定义金属线条以及线条引出的大块金属，然后制作出金属线条图形和大块金属；(4)用探针台测定金属线条初始电阻并记录；(5)将硅片放到设备上完成与实际工艺相同的过程；(6)再一次用探针台测定金属线条的电阻，比较初始值，得出实际制作时的温度和温度场分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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