[发明专利]一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法

摘要

本发明公开了一种检测氮化镓基半导体发光二极管质量优劣的方法。它是根据GaN基半导体发光二极管中存在的压电效应和InN类量子点结构，通过测量在不同注入电流下，发光峰位的蓝移量来判断发光二极管性能的优劣。在相同注入电流下，如果发光峰位蓝移量越大，电流的注入效率就越高，电流在芯片、电极、支架、引线等器件各个部分上的损失就越小。这就说明制造发光二极管的各个工艺过程，如材料生长、电极加工、封装控制的比较好，产品的质量相对就比较高。本发明具有操作简单，易于批量使用的特点。

主权项

1.一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法，其特征在于具体步骤如下：A.将被测样品GaN基LED置于显微-拉曼荧光光谱仪的物镜下，接通电源使LED发光，移动样品台使LED发光光束对准物镜，将注入电流调至最低但仍可发光，调节焦距，将物镜焦点聚在LED发光面上；B.调节注入电流，从0开始逐渐增大，每间隔500uA或1mA由光谱仪的CCD探测器采集一幅电致发光光谱；C.然后对采集的每一幅光谱中位于峰值的2/3数值大小以上的光谱段采用高斯线形进行拟合，以便有效地降低噪声带来的峰位读取误差，获得其准确的发光峰位；D.对发光峰位第一次发生蓝移的一幅电致发光光谱的注入电流作为最小检测电流，随着注入电流的逐渐增大，当发光峰位由蓝移转向红移的一幅电致发光光谱的注入电流定为最大检测电流；E.蓝移量Δλ＝最大检测电流的发光峰位一最小检测电流的发光峰位，Δλ作为判定GaN基LED质量优劣的数值，蓝移量Δλ越大，LED的发光性能越好，其数值的确定可根据需要而定。