[发明专利]调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度的方法无效
| 申请号： | 200510110706.4 | 申请日： | 2005-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1970841A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 王健 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | C23F4/04 | 分类号： | C23F4/04;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度的方法，其采用在顶针与顶针停止装置之间增加垫片，即可调节顶针与硅片背面的距离，从而避免和减轻异常放电，且操作简单、使用方便。 | ||
| 搜索关键词： | 调节 半导体 刻蚀 设备 工艺 顶针 高度 方法 | ||
【主权项】：
1、一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度的方法，其特征在于，采用在顶针与顶针停止装置之间增加垫片，调节步骤如下：(1)用游标卡尺测量顶针与载片台表面的距离d；(2)将顶针驱动机构分解后，在顶针与顶针停止装置之间装上合适的垫片；(3)再次用游标卡尺测量顶针与载片台表面的距离d，如果未达到要求可再次进行调节，直至满足要求。
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