[发明专利]静磁场作用下原位自生MgB2超导材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种静磁场作用下原位自生MgB₂超导材料的制备方法，属低温超导材料制备工艺技术领域。本发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Mg∶B＝0.7∶2.0～1.3∶2.0；在套管法的基础上运用强度为1～100T(特斯拉)的静磁场；Mg和B粉末的原位自生反应温度在600～1000℃范围内。本发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少，结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。

主权项

1.一种静磁场作用下原位自生MgB2超导材料的制备方法，其特征在于具有以下的工艺过程和步骤：a、将高纯度的Mg粉料和高纯度的B粉料分别置于真空干燥箱内在120℃下恒温干燥24小时，随后分别称取Mg和B粉料，按规定的化学计量比进行配料，两者的化学计量比为：Mg∶B＝0.7∶2.0～1.3∶2.0，将配合料进行均匀研磨后，封入一端封闭的低碳钢管内，并在一定压力下压实后将另一端封闭；b、将上述盛放有Mg粉、B粉混合料的低碳钢管放置于另一加热管内，用扩散真空泵将加热管内的空气抽去使成真空，随后充入高纯氩气进行洗气，再抽真空，如此反复三次后，持续缓慢充入高纯氩气保证管内的惰性气氛；c、将上述的加热管置于管式炉内加热，同时启动强静磁场，其磁场强度为1～100特斯拉；升温速度为3～30℃/分钟；升温至反应温度600～1000℃后保温30分钟；然后将样品随炉冷却，取出样品MgB2，即为一种原为自生的MgB2超导材料。