[发明专利]采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法有效
| 申请号： | 200510110783.X | 申请日： | 2005-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1801501A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 刘波;宋志棠;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器单元的方法，具体包括硫系化合物纳米材料的制备方法及其用于制备相变存储器器件单元的方法。通过采用在一维绝缘的纳米材料表面覆盖一层硫系化合物薄膜，制备出硫系化合物纳米材料，进而再采用纳米加工技术，把硫系化合物纳米材料与相变存储器器件单元的电极集成在一起，制备出纳米尺度的相变存储器器件单元。由于纳米结构材料的制备工艺比较成熟且尺寸可以很小，很容易制备出小尺寸的硫系化合物纳米材料。把硫系化合物纳米材料应用到相变存储器器件单元，利用硫系化合物纳米材料截面积可以很小的特征，大大增加电流密度，提高硫系化合物有效相变区域的热效率，降低操作电流，减小功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 化合物 纳米 材料 制备 相变 存储器 器件 单元 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法，其特征在于采用薄膜制备工艺在绝缘的一维纳米材料表面覆盖一层硫系化合物薄膜，制备出包覆在绝缘的一维纳米材料的硫系化合物纳米材料，进而再采用纳米加工技术把硫系化合物纳米材料与相变存储器器件单元的电极材料集成在一起，制备出纳米尺度的相变存储器器件单元。
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