[发明专利]防静电保护器件无效
| 申请号： | 200510111039.1 | 申请日： | 2005-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1979858A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 徐向明;金锋;苏庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防静电保护器件，包括多个并联的NMOS管，在P衬底上设置有并排的P阱和N阱，所述NMOS管设置于并排的P阱和N阱上，该NMOS管的源极和栅极位于P阱上方，该NMOS管的漏极包括N阱和两个N型扩散区，所述两N型扩散区上方分别各有一个金属硅化物层；所述两N型扩散区中间有一间隔，其中一个N型扩散区位于P阱和N阱交界处的上方，另一个N型扩散区位于N阱上方，所述位于N阱上方的N型扩散区的金属硅化物与一个包含有导电物质的通孔相连接。本发明通过将设置于N阱上的N型扩散区断开，不仅能使各NMOS管均匀开启，还大大的提高了器件的散热效率和耐压强度。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 器件 | ||
【主权项】：
1.一种防静电保护器件，其特征在于，包括多个并联的NMOS管，各NMOS管中，在P衬底上设置有并排的P阱和N阱，所述NMOS管设置于并排的P阱和N阱上，该NMOS管的源极和栅极位于P阱上方，该NMOS管的漏极包括N阱和两个N型扩散区，所述两N型扩散区上方分别各有一个金属硅化物层；所述两N型扩散区中间有一间隔，其中一个N型扩散区位于P阱和N阱交界处的上方，另一个N型扩散区位于N阱上方，所述位于N阱上方的N型扩散区的金属硅化物与一个包含有导电物质的通孔相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
