[发明专利]改善超快闪存储器耐久性的方法无效
| 申请号： | 200510111042.3 | 申请日： | 2005-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1979812A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李建文 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善超快闪存储器耐久性的方法，首先进行浮栅多晶硅成长，再进行氮化硅成长，之后浮栅光刻，再对氮化硅进行干法刻蚀，之后进行多晶硅干法各向同性刻蚀，然后去除光刻胶，再进行高温热氧化，之后湿法去除氮化硅，最后进行多晶硅干法各向异性刻蚀。本发明通过上述方法，使得浮栅尖角得角度更尖，使电力线更集中，更有利于尖角处的隧道穿通效应，进而使存储单元在同样擦除条件下可擦除的次数大大提高，器件的耐久性显著增强。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 闪存 耐久性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善超快闪存储器耐久性的方法，依次包括如下步骤，首先进行浮栅多晶硅成长，再进行氮化硅成长，之后浮栅光刻，再对氮化硅进行干法刻蚀，然后去除光刻胶，再进行高温热氧化，之后湿法去除氮化硅，最后进行多晶硅干法各向异性刻蚀；其特征在于，在所述对氮化硅进行干法刻蚀的步骤之后，还包括多晶硅干法各向同性刻蚀的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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