[发明专利]衬底触发的静电放电保护电路无效
申请号: | 200510111045.7 | 申请日: | 2005-12-01 |
公开(公告)号: | CN1979842A | 公开(公告)日: | 2007-06-13 |
发明(设计)人: | 徐向明 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种衬底触发的静电放电保护电路,包括N型金属氧化物缓冲(Nch Buffer)晶体管和一个二极管串,Nch Buffer晶体管栅极接地,衬底与二极管串尾部二极管的阴极相连接,二极管串首部二极管的阳极与内部电路前一级相连接。在静电放电发生时,二极管串会先于Nch Buffer晶管导通产生电流,可以供给Nch Buffer晶体管衬底电流,并产生衬底偏压,触发Nch Buffer晶体管。本发明能使晶体管在静电放电发生时较快被触发开启,有较大电流释放能力,并能使开启均匀。 | ||
搜索关键词: | 衬底 触发 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】:
1、一种衬底触发的静电放电保护电路,包括N型金属氧化物缓冲晶体管,其特征是,还包括一个置于内部电路前一级和N型金属氧化物缓冲晶体管衬底之间的二极管串,二极管串中每两个相邻的二极管的阳极和阴极首尾相接,其首部二极管的阳极与内部电路前一级相连接,尾部二极管的阴极与所述N型金属氧化物缓冲晶体管衬底相连接;所述N型金属氧化物缓冲晶体管栅极与接地线相连接。
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