[发明专利]一种p型或n型氧化锌薄膜及其制备方法无效
申请号: | 200510111068.8 | 申请日: | 2005-12-01 |
公开(公告)号: | CN1812134A | 公开(公告)日: | 2006-08-02 |
发明(设计)人: | 王云涛;张昕;吴晓京 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0296;H01L29/22;H01L21/205;C23C16/448;C23C16/52 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属功能材料技术领域,具体为一种p型/n型氧化锌薄膜及其制备方法。该薄膜的制备过程是:采用硅(100)作为基底,将其在一水平放置的石英管中加热到设定温度,在将盛有醋酸锌的陶瓷舟推入石英管加热,使其挥发分解,利用空气作为载运气体,将醋酸锌蒸汽输运至硅基底,使其分解沉积成膜。此方法制备的ZnO薄膜具有高载流子浓度,低电阻率特性,且可以通过温度控制,选择制备p型或n型薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化锌 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种p型或n型宽禁带氧化锌薄膜,其特征在于为透明多晶,具有六方纤锌矿或红锌矿结构,厚度为100~1500nm,电阻率低达10-2Ωcm,p型薄膜载流子浓度高达1018cm-3,n型薄膜载流子浓度高达1019cm-3,并有下述制备方法获得:将基底放入一水平放置的石英管中,加热至设定温度350-550℃,再将装有锌源的陶瓷舟推入此石英管中,使之蒸发,并通入载运气体,将蒸气疏运至基底,经过沉积过程,在基底上得到氧化锌薄膜;其中,基底为硅片,锌源为醋酸锌,载运气体为空气。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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