[发明专利]一种制备相变存储器纳米加热电极的方法

摘要

本发明涉及一种制备相变存储器纳米加热电极的方法，首先通过微纳加工技术，在SiO₂衬底上制备较大尺寸的孔洞，接着利用常规的CVD技术的良好台阶覆盖性能在该孔洞中和孔洞侧壁上淀积一层几个纳米厚的加热金属层，在孔洞里填充介质层，最后进行化学机械抛光，抛去孔洞上端的介质材料和加热电极材料，从而形成环状纳米加热电极。本发明避免了纳米小孔中填充电极材料、相变材料的困难，利用较大的环状纳米加热电极实现具有同样面积的小孔洞柱状加热电极的效果。不仅仅适用于解决相变存储器纳米加热电极问题，同样适用于其它电子器件特别是纳电子器件所需的纳米加热电极的制备，具有很大的应用价值。

主权项

1、一种制备相变存储器纳米加热电极的方法，其特征在于：(a)在衬底上制备一金属层作为底电极，然后制备一层介质材料，最后利用微纳加工技术在介质层上制备孔洞阵列；孔洞的底部与底电极相连；(b)在介质孔洞侧壁和底部制备一层加热电极材料；(c)在上述制备完加热电极材料的孔洞里填充介质材料；(d) 利用化学机械抛光抛除孔洞以外的介质材料和加热电极材料，从而在衬底上形成环状纳米电极阵列；(e)在上述带有环状纳米电极阵列的衬底上制备相变材料、绝热材料和上电极材料，通过剥离或者刻蚀的方法形成相变存储器器件单元阵列。