[发明专利]具有高填缝能力的方法及所得的器件结构无效
| 申请号： | 200510111129.0 | 申请日： | 2005-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1979796A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 汪钉崇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦;杨红梅 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 提供了用于填充沟槽的方法及所得的器件结构。该方法包括：在沟槽中形成第一层以部分地填充沟槽；从沟槽去除第一层的至少一部分；以及在第一层上形成第二层，其中形成第二层是在至少700摄氏度的温度和以至少1.6的气流比来执行的，该气流比等于第一气体的第一气流速率比第二气体的第二气流速率。在具体实施例中，该方法包括：通过在该温度和以该气流比率与存在于第一层中的污染物反应，从第一层去除污染物。在具体实施例中，去除第一层的至少一部分包括蚀刻第一层的该部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高填缝 能力 方法 所得 器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于填充沟槽的方法，该方法包括：在沟槽中形成第一层以部分地填充沟槽；从沟槽去除第一层的至少一部分；以及在第一层上形成第二层；其中形成第二层是在至少700摄氏度的温度和以至少1.6的气流比来执行，该气流比等于第一气体的第一气流速率比第二气体的第二气流速率。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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