[发明专利]多值相变存储器的实现方法无效
| 申请号： | 200510111154.9 | 申请日： | 2005-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1812124A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;蔡燕飞;廖菲菲;汤庭鳌;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;硅存储技术公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/02 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 姚静芳 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属微电子技术领域，具体为一种多值相变存储器的实现方法。它利用相变薄膜材料或相变薄膜材料与其它半导体材料的复合材料的半导体特性构建半导体薄膜晶体管，利用相变材料可以在电学作用下电阻发生可逆变化的特性来改变半导体薄膜晶体管的沟道长度，达到在单个存储单元中存储多位数据的多值存储的功能。由于薄膜晶体管可以构成空间的立体结构提高密度，而不占用硅衬底的面积。因此采用本发明方法的存储器件可以极大的提高存储密度，同时解决目前基于1T1R结构的相变存储器的外围电路占用硅衬底面积大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 实现 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多值相变存储器的实现方法，其特征在于利用相变材料既有半导体材料的特性，同时又有相变特性的特点，构建基于相变材料的半导体薄膜晶体管，其中高电阻介质层作为薄膜晶体管栅介质或加热层，利用相变材料在电流作用下发生相变的特性来改变薄膜晶体管沟道的长度，实现相变存储器的多值存储。
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