[发明专利]集成电路中的静电保护电路有效
| 申请号： | 200510111176.5 | 申请日： | 2005-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1979844A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 徐向明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/62;H01L27/02;H01L27/04;H05F3/04;H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路中的静电保护电路。包括多指并联的GGNMOS电路，GGNMOS的漏极接内部电路的前一级，还包括二极管，其中最中间的GGNMOS源端以及衬底与二极管的阳极相连接、栅极接地，该多指并联的GGNMOS电路中其他GGNMOS源端接地，栅极接地，衬底相互连接并与二极管的阳极相连接，二极管的阴极接地，当发生ESD时，所述最中间的GGNMOS最先导通，在所述二极管产生偏压，供给其他所有周边所有的GGNMOS衬底偏压，使保护电路中所有的GGNMOS开启均匀。本发明适用于集成电路制造。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 中的 静电 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路中的静电保护电路，其特征在于，包括多指并联的GGNMOS电路，GGNMOS的漏极接内部电路的前一级，还包括二极管，其中最中间的GGNMOS源端以及衬底与二极管的阴极相连接、栅极接地，该多指并联的GGNMOS电路中其他GGNMOS源端接地，栅极接地，衬底相互连接并与二极管的阴极相连接，二极管的阳极接地，当发生ESD时，所述最中间的GGNMOS最先导通，在所述二极管产生偏压，供给其他所有周边所有的GGNMOS衬底偏压，使保护电路中所有的GGNMOS开启均匀。
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