[发明专利]一种利用NMOS的防静电保护结构有效
| 申请号： | 200510111180.1 | 申请日： | 2005-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1979846A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 苏庆;金锋;徐向明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H02H9/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用NMOS的防静电保护结构，使用栅极接地的NMOS作为构成静电保护电路的基本器件，其中NMOS为偶数个且至少为四个，并利用漏区的N阱在漏区注入NWELL增强低压触发NMOS；该静电保护电路中央各设置一个NMOS，其栅极并联，漏极也并联；除静电保护电路中央设置的NMOS外，其余两侧NMOS漏极并联，源极、栅极并联；该静电保护电路中央设置的NMOS源极与其余两侧并联的NMOS的寄生NPN的基极相连，当静电保护电路中央设置的NMOS寄生NPN导通泻流时，其电流也会分流到其余两侧且并联的NMOS的寄生NPN的基极，使其余两侧并联的NMOS的寄生NPN的基极与发射极正向导通。本发明可解决GGNMOS结构作为ESD保护时，保护管不能均匀导通泻流造成ESD保护能力不高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 nmos 静电 保护 结构 | ||
【主权项】：
1、一种利用NMOS的防静电保护结构，使用栅极接地的NMOS作为构成静电保护电路的基本器件，其特征在于，所述NMOS为偶数个且至少为四个，并利用漏区的N阱，在漏区注入NWELL以增强低压触发NMOS；该静电保护电路中央各设置一个NMOS，其栅极并联，漏极也并联；除静电保护电路中央设置的NMOS外，其余两侧NMOS漏极并联，源极、栅极并联；所述静电保护电路中央设置的NMOS源极与其余两侧并联的NMOS的寄生NPN的基极相连，当静电保护电路中央设置的NMOS寄生NPN导通泻流时，其电流也会分流到其余两侧且并联的NMOS的寄生NPN的基极，使其余两侧并联的NMOS的寄生NPN的基极与发射极正向导通。
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