[发明专利]一种可擦写电双稳薄膜器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200510111256.0 申请日: 2005-12-08
公开(公告)号: CN1812151A 公开(公告)日: 2006-08-02
发明(设计)人: 徐伟;蔡永挚;吕银祥 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于分子电子器件技术领域,具体涉及一种基于原位交联有机薄膜的可擦写电双稳器件及其制备方法。该薄膜器件的结构为:金属-有机-金属-有机-金属(M-O-M-O-M)结构。其中,中间的金属层为超薄层,二端的金属层做电极;有机层为经过紫外辐照原位交联的有机薄膜。采用经过紫外原位交联的有机层可以明显提高器件的电性能、稳定性和使用寿命,有产业价值。本发明提出的有机电双稳薄膜器件稳定性好、制作工艺简单,可作为电存贮器和逻辑元件使用。
搜索关键词: 一种 擦写 电双稳 薄膜 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种可擦写电双稳薄膜器件具有金属-有机-金属-有机-金属的夹层结构,其特征在于有机层采用经过紫外辐照原位交联的有机小分子。
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