[发明专利]准常压薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200510111280.4 | 申请日： | 2005-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1978700A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 陈奕韬;陈斌嵩 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/448;C23C16/52;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种准常压薄膜的制备方法，包括以下步骤：第一步，将磷酸三乙酯、硼酸三乙酯和四乙氧基硅烷的液体分别输入各自对应的管道；第二步，通过汽化阀提高磷酸三乙酯的温度达到137℃－143℃并使之汽化、通过汽化阀使硼酸三乙酯和四乙氧基硅烷汽化；第三步，调整串联气体管道的温度到105℃－110℃；第四步，被汽化的磷酸三乙酯、硼酸三乙酯和四乙氧基硅烷进入腔体进行反应，产生可应用于层间绝缘膜的硼磷硅玻璃和副生成物。本发明通过提高气体管道的温度至110℃，将磷酸三乙酯提高至140℃，提高汽化性，不仅能延长汽化阀的寿命，还降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 常压 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种准常压薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，将磷酸三乙酯、硼酸三乙酯和四乙氧基硅烷的液体分别输入各自对应的管道；第二步，通过汽化阀提高磷酸三乙酯的温度达到137℃-143℃并使之汽化、通过汽化阀使硼酸三乙酯和四乙氧基硅烷汽化；第三步，调整串联气体管道的温度到105℃-110℃；第四步，被汽化的磷酸三乙酯、硼酸三乙酯和四乙氧基硅烷进入腔体进行反应，产生可应用于层间绝缘膜的硼磷硅玻璃和副生成物。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
