[发明专利]一种利用自衬底触发NPN型三极管的防静电保护电路结构无效
申请号: | 200510111281.9 | 申请日: | 2005-12-08 |
公开(公告)号: | CN1979861A | 公开(公告)日: | 2007-06-13 |
发明(设计)人: | 金锋;苏庆;徐向明 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/082 | 分类号: | H01L27/082;H01L23/60;H02H9/00 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种利用NPN型三极管的防静电保护电路结构,使用自衬底触发NPN型三极管作为静电保护的基本器件构成电路时,NPN型三极管为偶数个且至少为四个,该NPN型三极管集电极都并联,保护管电路中央设置一对NPN型三极管且其基极、发射极并联,并与其余两边的NPN型三极管的基极相连,其余两边的NPN型三极管的发射极并联接地;当居中的NPN的基极与发射极PN结正向导通时,其电流会分流到与其相连的两端的NPN的基极中,而使两侧的NPN的基极与发射极极短的时间内正向导通;当居中的NPN的基极与发射极PN结正向导通时,其电流会分流到与其相连的两端的NPN的基极中。本发明可以解决在HV工艺下使用NPN作为ESD保护时,ESD保护能力不高的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 衬底 触发 npn 三极管 静电 保护 电路 结构 | ||
【主权项】:
1、一种利用自衬底触发NPN型三极管的防静电保护电路结构,使用NPN型三极管作为静电保护的基本器件构成保护管电路时,其特征在于,所述NPN型三极管为偶数个且至少为四个,该NPN型三极管集电极都并联,该保护管电路中央设置一对NPN型三极管且其基极、发射极并联,并与其余两边的NPN型三极管的基极相连,其余两边的NPN型三极管的发射极并联接地;当居中的NPN的基极与发射极PN结正向导通时,其电流会分流到与其相连的两端的NPN的基极中,而使两侧的NPN的基极与发射极极短的时间内正向导通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的