[发明专利]半导体器件离子注入的方法无效
| 申请号： | 200510111296.5 | 申请日： | 2005-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1979767A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 陈晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/20;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件离子注入的方法，通过由外延硅生长的步骤将多次低能量离子注入分隔开，避免了在半导体制造过程中引入长时间高温热过程，从而也避免了离子注入分布的浓度向着非设计的发向分布、分界面产生多余电荷以及不同物质分界面断裂等问题的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件离子注入的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)第一次低能量离子注入；(2)在第一次注入硅基板位置做外延硅生长；(3)在新的硅基板平面做第二次低能量离子注入；(4)退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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