[发明专利]提高大功率MOS管源漏击穿的方法无效
| 申请号： | 200510111297.X | 申请日： | 2005-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1979783A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 缪进征;张朝阳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高大功率MOS管源漏击穿的方法，其在现有工艺中的多晶硅回刻步骤之后增加了一个光刻和对大尺寸沟槽注入的步骤，通过单独对大尺寸沟槽注入反型的杂质，使该区域电阻率增大，从而改善该区域的源漏击穿特性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 大功率 mos 管源漏 击穿 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高大功率MOS管源漏击穿的方法，包括如下步骤，(1)晶圆清洗；(2)场区光刻和刻蚀；(3)场区氧化；(4)沟槽光刻和刻蚀；(5)栅氧化层成长；(6)多晶硅沉积；(7)多晶硅回刻；(8)光刻和井注入；(9)源注入及其它后续步骤；其特征在于，在所述步骤(7)之后、步骤(8)之前，还包括一个光刻和对大尺寸沟槽注入的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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