[发明专利]半导体仿真模型的建立方法有效
| 申请号： | 200510111298.4 | 申请日： | 2005-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1979498A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 邹小卫;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体仿真模型的建立方法，其步骤包括：首先按长度与宽度的依存性建立Global区域的器件模型，即G模型；然后Bin区域与Global区域边界上的器件使用G模型作为自己的单个器件模型；之后单独提取Bin区域中不与Global区域接界的各个器件的模型；再利用各自4个角上的器件模型，各个Bin块合成自己的块模型；最后将G模型及若干个Bin模型整合成一个整体的模型。本发明同时具有了全局模型与分块模型的优点，同时克服它们的缺点，因此在简化模型提取过程的基础上得到较高的模型精度，改善了模型的维护性能，从而提高了集成电路设计的效率与准确性，缩小了产品设计周期，并且降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 仿真 模型 建立 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体仿真模型的建立方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)按长度与宽度的依存性建立Global区域的器件模型，即G模型；(2)Bin区域与Global区域边界上的器件使用G模型作为自己的单个器件模型；(3)单独提取Bin区域中不与Global区域接界的各个器件的模型；(4)利用各自4个角上的器件模型，各个Bin块合成自己的块模型；(5)将G模型及若干个Bin模型整合成一个整体的模型。
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