[发明专利]莫来石前驱体原位包覆碳纳米管的复合粉体的制备方法无效

专利信息
申请号: 200510111364.8 申请日: 2005-12-09
公开(公告)号: CN1800095A 公开(公告)日: 2006-07-12
发明(设计)人: 王静;寇华敏;潘裕柏;郭景坤 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/52 分类号: C04B35/52;C04B35/185;C04B35/622
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 潘振甦
地址: 20005*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种莫来石前驱体原位包覆碳纳米管的复合粉体的制备方法。主要特征是将表面处理后的碳纳米管置于原料水溶液中,原位合成碳纳米管-碳酸铝铵-二氧化硅溶胶复合粉体,通过洗涤、干燥、过筛和煅烧,获得莫来石前驱体包裹碳纳米管复合粉体。所得材料的结构特征是莫来石前驱体在碳纳米管的管壁上,在优化条件下,可实现前驱体对碳纳米管的全包覆。通过控制溶液浓度可以得到不同配比的碳纳米管-莫来石复合粉体。本方法以原位包覆合成方法实现了莫来石前驱体与碳纳米管的紧密结合,是制备碳纳米管/莫来石复合材料的有效途径。该复合材料是制备碳纳米管-莫来石复合材料优良的前驱体,也可以用作其它材料的增强体,具有良好的应用前景。
搜索关键词: 莫来石 前驱 原位 包覆碳 纳米 复合 制备 方法
【主权项】:
1.一种莫来石前驱体原位包覆碳纳米管复合材料的制备方法,其特征在于通过酸化处理碳纳米管,使其表面产生带负电荷的活性基团,利用碳纳米管表面活性基团的静电吸引作用,以硫酸铝铵作铝源,与碳酸氢铵反应生成氧化铝的前驱体碳酸铝铵,通过表面带负电荷的碳纳米管的静电吸引作用,将碳酸铝铵原位吸附于碳纳米管表面,以正硅酸乙酯为硅源,水解成硅溶胶,通过非均匀成核沉积在碳纳米管-碳酸铝铵表面,通过低温煅烧使碳酸铝铵和硅溶胶在碳纳米管表面分解,进而生成氧化铝和氧化硅包覆碳纳米管的复合粉体。
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