[发明专利]在集成电路的制造中清洁背部蚀刻的方法

摘要

一种制造半导体衬底的方法。包括提供具有上表面、背部表面和围绕半导体晶片的外周的边缘区域的半导体晶片。在优选实施例中，上表面通常用于集成电路器件元件本身的制造。该方法包括使半导体晶片经受一个或多个工艺步骤以在背部表面上形成一个或多个材料膜、安装半导体晶片以暴露背部表面、以圆形的形式转动半导体晶片。在一个特定实施例中，该方法包括当半导体晶片转动时至少在背部表面上供应含有含氟成分、硝酸成分、表面活性剂成分和有机酸成分的酸性溶液。该方法引起从背部表面去除一种或多种污染物，而当半导体晶片以圆形的方式转动时背部表面的中间区域的一部分仍然暴露。

主权项

1.一种制造半导体衬底的方法，所述方法包括：提供半导体晶片，所述半导体晶片具有上表面、背部表面和围绕所述半导体晶片的外周的边缘区域；使所述半导体晶片经受一个或多个工艺步骤以在所述背部表面上形成一层或多层材料膜；安装所述半导体晶片以暴露所述背部表面；以圆形的方式转动所述半导体晶片；当所述半导体晶片转动时，至少在所述半导体晶片的所述背部表面上供应含有含氟成分、硝酸成分、表面活性剂成分和有机酸成分的酸性溶液；从所述背部表面上去除一种或多种污染物；并且在围绕所述半导体晶片的外周的边缘区域附近形成至少0.8毫米并且更大的边缘排斥区域，而当所述半导体晶片以圆形的方式转动时所述背部表面的中间区域的一部分仍然暴露。