[发明专利]半导体叠层结构及其制造方法以及半导体器件无效
| 申请号： | 200510111387.9 | 申请日： | 2005-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1983585A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 汪钉崇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/31;H01L21/314;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体叠层结构，包括；在衬底上形成的第一绝缘层；和在第一绝缘层上形成的第二绝缘层；所述叠层结构位于多层互连结构的金属引线之间以提高引线之间的击穿电压。本发明还相应提供了一种半导体叠层结构的形成方法，包括：将衬底置于反应室内；将第一反应气体引入所述反应室中；利用PECVD或HDP－CVD工艺在衬底表面形成第一绝缘层；移去第一反应气体，通入第二反应气体；利用PECVD或HDP－CVD工艺在第一绝缘层表面形成第二绝缘层。本发明的半导体叠层结构具有更高的绝缘特性和抗击穿特性，使包含这种层间绝缘膜层的半导体器件具有更高的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体叠层结构，包括；在衬底上形成的第一绝缘层；和在第一绝缘层上形成的第二绝缘层；所述叠层结构位于多层互连结构的金属引线之间以提高引线之间的击穿电压。
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