[发明专利]金属互连线电迁移的测试结构及方法无效

专利信息
申请号: 200510111414.2 申请日: 2005-12-13
公开(公告)号: CN1982906A 公开(公告)日: 2007-06-20
发明(设计)人: 胡晓明;仲志华;徐向明 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R31/02;H01L21/66
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人: 丁纪铁
地址: 201206上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种金属互连线电迁移的测试结构,包括金属线圈、互连线测试结构和温度监控电阻,所述互连线测试结构和所述温度监控电阻均为条状结构,并且相互平行且并排设置,所述金属线圈包围在所述互连线测试结构与所述温度监控电阻周围。本发明还公开了一种利用上述结构实现的金属互连线电迁移的测试方法,先给金属线圈通电流使互连线测试结构周围温度达到设定温度,然后给互连线测试结构通恒定电流,并记录失效时间。本发明对金属互连线电迁移的评价不需要因在划片后进行封装测试而消耗硅片,从而大大的降低了成本,并且缩短了测试时间,提高了测试效率,可以实时监控工艺变化对金属互连线电迁移的影响。
搜索关键词: 金属 互连 迁移 测试 结构 方法
【主权项】:
1.一种金属互连线电迁移的测试结构,其特征在于,包括金属线圈、互连线测试结构和温度监控电阻,所述互连线测试结构和所述温度监控电阻均为条状结构,所述互连线测试结构和所述温度监控电阻相互平行且并排设置,所述金属线圈包围在所述互连线测试结构与所述温度监控电阻周围。
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