[发明专利]测试晶体管寿命的方法无效
| 申请号： | 200510111419.5 | 申请日： | 2005-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1982907A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 胡晓明;仲志华;万星拱 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测试晶体管寿命的方法，包括以下步骤：首先，对样品进行前期测试，并选择规格正常的晶体管；第二步，控制上述晶体管的环境温度在70－250K之间；第三步，设置晶体管漏端的偏置电压，进行热载流子劣化，并得到劣化时间；第四步，利用劣化时间计算晶体管在低温晶体管正常工作状态下的寿命；第五步，根据晶体管在低温正常工作状态下的寿命得出晶体管在常温正常工作状态下的寿命。本发明测试晶体管寿命的方法，在低温下进行劣化测试，计算晶体管在低温下的寿命从而得到晶体管在常温正常工作状态下的寿命，不仅可以比较精确的计算晶体管在常温正常工作状态下的寿命，还节约大量的时间，提高生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 晶体管 寿命 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测试晶体管寿命的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，对样品进行前期测试，并选择规格正常的晶体管；第二步，控制上述晶体管的环境温度在70-250K之间；第三步，在晶体管的漏端施加高于正常工作电压的偏置电压，进行热载流子劣化测试，并得到劣化时间；第四步，利用劣化时间计算晶体管在低温时正常工作电压下的寿命；第五步，根据晶体管在低温正常工作电压下的寿命得出晶体管在常温正常工作电压下的寿命。
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