[发明专利]一种MOS场效应管及其制作方法无效
| 申请号： | 200510111432.0 | 申请日： | 2005-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1983631A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 伍宏;陈晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS场效应管，该MOS场效应管多晶硅栅的宽度，从靠近硅区域与浅沟道隔离区域交界处的硅区域内的某处到硅区域与浅沟道隔离区域交界处线性地增加。本发明一种制作MOS场效应管的方法，首先，根据反窄沟道效应的严重程度，MOS场效应管的综合特性，定义该多晶硅栅形状改变的几何参数；其次，根据第一步中确定的几何参数改变版图。本发明在通过线性增加场效应管边缘的多晶硅栅的宽度，等效于增加“寄生晶体管”的沟道长度，降低其漏电流并提高“寄生晶体管阈值电压，从而降低总晶体管的漏电流并提高总晶体管的阈值电压。从而改善MOS场效应管反窄沟道效应引起的阈值电压下降的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 场效应 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS场效应管，其特征在于，该MOS场效应管多晶硅栅在MOS场效应管沟道方向上的宽度，从靠近硅区域与浅沟道隔离区域交界处的硅区域内的某处到硅区域与浅沟道隔离区域交界处线性地增加。
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